IGBT+IR2110驅動電路圖
IGBT+IR2110驅動電路圖
IR2110驅動IGBT電路如圖所示。電路采用自舉驅動方式，VD1為自舉二極管，C1為自舉電容。接通電源，VT2導通時Cy通過VDt進行充電。這種電路適用于驅動較小容量的IGBT.對于IR2110,當供電電壓較低時具有使驅動器截止的保護功能。自舉驅動方式支配著VT2的導通電壓，因此電壓較低的保護功能是其必要條件。若驅動電壓較低時驅動IGBT,則IGBT就會發生熱損壞。VD1選用高速而耐壓大于600V的ERA38-06、ERB38-06等二極管。
IR2110 drives IGBT circuit as shown in the figure. The circuit adopts bootstrap drive mode, VD1 is a bootstrap diode, and C1 is a bootstrap capacitor. When the power is turned on, Cy is charged through VDt when VT2 is turned on. This kind of circuit is suitable for driving smaller capacity IGBT. For IR2110, when the power supply voltage is low, it has the protection function of turning off the driver. The bootstrap drive mode dominates the turn-on voltage of VT2, so a lower voltage protection function is a necessary condition. If the IGBT is driven at a low driving voltage, the IGBT will be thermally damaged. VD1 selects diodes such as ERA38-06 and ERB38-06 with high speed and withstand voltage greater than 600V.
本文地址：http://www.flswjt.cn/dz/21/IR2110_1621.shtml
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