MOSFET和三極管ON狀態的區別？
是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？
三極管ON狀態時工作于飽和區，導通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅動電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡單的僅由Vce來決定，即不能采用飽和Rce來表示(因Rce會變化)。由于飽和狀態下Vce較小，所以三極管一般用飽和Vce表示。
MOS管在ON狀態時工作于線性區(相當于三極管的飽和區)，與三極管相似，電流Ids由Vgs和Vds決定，但MOS管的驅動電壓Vgs一般可保持不變，因而Ids可僅受Vds影響，即在Vgs固定的情況下，導通阻抗Rds基本保持不變，所以MOS管采用Rds方式。
電流可以雙向流過MOSFET的D和S ，正是MOSFET這個突出的優點，讓同步整流中沒有DCM的概念，能量可以從輸入傳遞到輸出，也可以從輸出返還給輸入，能實現能量雙向流動。容－源－電－子－網－為你提供技術支持
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PL3902 30V N通道MOSFET
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TDM3478 N-通道增強模式MOSFET芯片
概述
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MOSFET的擊穿有哪幾種？
Source、Drain、Gate —— 場效應管的三極：源級S、漏級D、柵級G。（這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿）
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貼片三極管如何測量？測三極管的口訣
大家知道，三極管是含有兩個PN結的半導體器件。根據兩個PN結連接方式不同，可以分為NPN型和PNP型兩種不同導電類型的三極管。
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關于貼片三極管飽和的精彩簡述
1首先當我們調節可調電阻R1，使R1=4.3K時，通過計算得到，Ib=(5-0.7)/4.3K=1mA,得出IC=Hfe*Ib=10mA,那么這個時候在調節R3，使R3=500歐姆，通過計算得到
Vc=5-(10mA*0.5K)=0V,接著我們來看三極管三個極的電壓（Vb=0.7 Vc=0 Ve=0）2調節可調電阻R1，使R1=4.3K時，通過計算得到
Ib=(5-0.7)/4.3K=1mA,
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PW2308芯片，N溝道增強型MOSFET
一般說明
PW2308采用先進的溝道技術，提供優秀的RDS（ON）、低柵極充電和低至4.5V的柵極電壓運行。該器件適合用作電池保護或其他開關應用。
特征 VDS=60V，ID=5A
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PW2337芯片，P溝道增強型MOSFET
一般說明
PW2337采用先進的溝道技術，提供優秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征
VDS=-100V，ID=-0.9A
RDS（開）<650m
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PW2309芯片，P溝道增強型MOSFET
一般說明
PW2309采用先進的溝道技術，提供優秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征
VDS=-60V，ID=-3A
RDS（開）<180m&Om
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PW2319芯片P溝道增強型MOSFET
一般說明
PW2319采用先進的溝道技術，提供優秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征
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RDS（開）<70m&Ome
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晶體管國內外命名方法講座
國內命名方法：3DG1815-Y,第一部分用阿拉伯字表示器件的電極數目 2：表示二極管；3：表示三極管；
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貼片三極管在電路中的電流放大作用
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貼片三極管它是一款常用的半導體。它是有兩個PN結組成，可以對電流起放大作用，有3個引腳，分別為集電極（c)，基極（b)，發射極（e）。有PNP和NPN型兩種，以材料分有硅材料和鍺材料兩種。
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